IRF8313PBF和STS9D8NH3LL

对比图

型号 IRF8313PBF STS9D8NH3LL

描述 IRF8313PBF 编带30V,9A,0.012Ω,双N沟道功率MOSFET

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 - -

极性 N-Channel, Dual N-Channel N-CH

耗散功率 2 W 2 W

产品系列 IRF8313 -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 8.10 A 8A/9A

上升时间 - -

输入电容(Ciss) 760pF @15V(Vds) 857pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W

下降时间 - -

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW

通道数 2 -

漏源极电阻 15.5 mΩ -

长度 - -

宽度 3.9 mm -

高度 - -

封装 SOIC-8 SOIC-8

材质 - -

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - -