JANTX2N5665和JANTX2N6284

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N5665 JANTX2N6284 2N5665

描述 NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTORNPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR每NPN功率硅开关晶体管合格MIL -PRF- 455分之19500 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/455

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-66 TO-3 TO-66

耗散功率 2.5 W 175 W -

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 100 V -

最小电流放大倍数(hFE) 25 @1A, 5V 1250 @10A, 3V -

额定功率(Max) 2.5 W 175 W -

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 2500 mW 175000 mW 2500 mW

极性 - NPN -

集电极最大允许电流 - 20A -

封装 TO-66 TO-3 TO-66

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead -

ECCN代码 - EAR99 -

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