MUN2112T1和MUN2112T3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN2112T1 MUN2112T3 MUN2112T1G

描述 偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorsSC-59 PNP 50V 100mA偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 SC-59 SC-59 SOT-23-3

引脚数 - - 3

额定电压(DC) -50.0 V - -50.0 V

额定电流 100 mA - -100 mA

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

无卤素状态 - - Halogen Free

耗散功率 - - 0.338 W

最小电流放大倍数(hFE) - - 60 @5mA, 10V

额定功率(Max) - - 230 mW

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 338 mW

封装 SC-59 SC-59 SOT-23-3

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

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