FDP2532和IRFZ14PBF

对比图

型号 FDP2532 IRFZ14PBF PSMN030-150P,127

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP2532  晶体管, MOSFET, N沟道, 79 A, 150 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 V功率MOSFET Power MOSFETTO-220AB N-CH 150V 55.5A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 150 V 60.0 V -

额定电流 79.0 A 10.0 A -

额定功率 310 W - -

通道数 1 - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.014 Ω 0.2 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 310 W 43 W 250 W

阈值电压 4 V 2 V -

输入电容 5.87 nF - -

栅电荷 82.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 150 V 60 V 150 V

漏源击穿电压 150 V 60.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 79.0 A 10.0 A 55.5 A

上升时间 30 ns 50 ns -

输入电容(Ciss) 5870pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds) 3680pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 310 W 43 W 250 W

下降时间 17 ns 19 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 310000 mW 43 W 250W (Tc)

长度 10.67 mm 10.41 mm -

宽度 4.83 mm 4.7 mm -

高度 9.4 mm 9.01 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 - 50 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -