70V657S12DRGI和70V657S12DRI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70V657S12DRGI 70V657S12DRI 70V657S10DRG

描述 静态随机存取存储器 32K X 36 ASYNC DPRAMSRAM Chip Async Dual 3.3V 1.125M-Bit 32K x 36 12ns 208Pin PQFP TrayIC SRAM 1.125Mbit 10NS 208QFP

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 208 208 208

封装 QFP-208 BFQFP-208 BFQFP-208

封装 QFP-208 BFQFP-208 BFQFP-208

长度 - 28.0 mm 28.0 mm

宽度 - 28.0 mm 28.0 mm

厚度 - 3.50 mm 3.50 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tray Tray Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

存取时间 - 12 ns -

电源电压 - 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V

ECCN代码 - - 3A991

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