SA5230DR2G和SA5230NG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SA5230DR2G SA5230NG SA5230DG

描述 SA 系列 0.25 V/us 18 V 表面贴装 低压运算放大器 - SOIC-8低电压运算放大器 Low Voltage Operational AmplifierNE5230,SE5230,SA5230,NCV5230,低电压运算放大器,ON Semiconductor电源电压范围 1.8 V 至 15 V 可调电源电流 低噪声 SA 等级:-40°C 至 +85°C SE 等级:-40°C 至 +125°C NCV5230 适用于汽车应用;符合 AEC-Q100 ### 运算放大器,ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

封装 SOIC-8 PDIP-8 SOIC-8

引脚数 - 8 8

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

供电电流 1.1 mA 1.1 mA 1.1 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

增益频宽积 600 kHz 0.6 MHz 600 kHz

输入补偿电压 400 µV 400 µV 400 µV

输入偏置电流 40 nA 40 nA 40 nA

增益带宽 0.6 MHz - 600 kHz

输出电流 - 32 mA -

耗散功率 - 500 mW 0.5 W

共模抑制比 - 85 dB 85 dB

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 500 mW 500 mW

共模抑制比(Min) - 85 dB 85 dB

电源电压(Max) - 15 V 15 V

电源电压(Min) - 1.8 V 1.8 V

封装 SOIC-8 PDIP-8 SOIC-8

长度 - 9.27 mm 5 mm

宽度 - 6.35 mm 5 mm

高度 - 5.33 mm 1.5 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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