2SD1782KT146Q和MMSTA06T146

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SD1782KT146Q MMSTA06T146 MMBTA06LT1G

描述 ROHM  2SD1782KT146Q  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 120 MHz, 200 mW, 500 mA, 120 hFEROHM  MMSTA06T146  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 100 hFENPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - 100 MHz 100 MHz

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V

额定电流 500 mA 500 mA 500 mA

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 200 mW 200 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 120 @100mA, 3V 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) 390 100 @10mA, 1V -

额定功率(Max) 200 mW 350 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 120 100 100

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200 mW 350 mW 300 mW

额定功率 - - 225 mW

增益频宽积 - - 100 MHz

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 3 mm - 2.9 mm

宽度 1.8 mm - 1.3 mm

高度 1.2 mm - 0.94 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

香港进出口证 - - NLR

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