HERA803G和UG8DT-E3/45

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 HERA803G UG8DT-E3/45 HERA803GC0G

描述 整流器 8.0 Amp 200 Volt 150 Amp IFSMVISHAY  UG8DT-E3/45  快速/超快二极管, 单, 200 V, 8 A, 1 V, 20 ns, 150 ARectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AC,

数据手册 ---

制造商 Taiwan Semiconductor (台湾半导体) Vishay Semiconductor (威世) Taiwan Semiconductor (台湾半导体)

分类 TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 2 -

封装 TO-220-2 TO-220-2 -

正向电压 - 1V @8A -

反向恢复时间 - 30 ns -

正向电流 - 8 A -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 150 A -

正向电压(Max) - 1 V -

正向电流(Max) - 8 A -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

长度 - 10.54 mm -

宽度 - 4.7 mm -

高度 - 15.32 mm -

封装 TO-220-2 TO-220-2 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

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