2N6231和JAN2N6674

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6231 JAN2N6674 JANTX2N6385

描述 Bipolar Transistors - BJT PNP TransistorTrans GP BJT NPN 300V 15A 3Pin(2+Tab) TO-3Trans Darlington NPN 80V 10A 6000mW 3Pin(2+Tab) TO-3

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-3 TO-204 TO-3

耗散功率 - - 6 W

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 6000 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 300 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 8 @10A, 2V -

额定功率(Max) - 6 W -

封装 TO-3 TO-204 TO-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Tray

RoHS标准 - Non-Compliant

含铅标准 - -

ECCN代码 - - EAR99

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

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