对比图
型号 2N6768T1 JAN2N6768T1 JANTX2N6768T1
描述 N沟道MOSFET N-CHANNEL MOSFETTO-254 N-CH 400V 14ATO-254 N-CH 400V 14A
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-254-3 TO-254-3 TO-254-3
通道数 - 1 -
极性 - N-CH N-CH
耗散功率 4W (Ta), 150W (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc)
漏源极电压(Vds) 400 V 400 V 400 V
连续漏极电流(Ids) - 14A 14A
耗散功率(Max) 4W (Ta), 150W (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc)
额定功率(Max) 4 W - -
封装 TO-254-3 TO-254-3 TO-254-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 Bulk Bulk Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead