MMBT2907AWT1G和MMST2907A-7-F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT2907AWT1G MMST2907A-7-F MMBT2907A

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBT2907AWT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 150 mW, -600 mA, 50 hFEDIODES INC.  MMST2907A-7-F  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 200 mW, -600 mA, 100 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT2907A  单晶体管 双极, 通用, PNP, 60 V, 200 MHz, 350 mW, 800 mA, 300 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SC-70-3 SOT-323 SOT-23-3

频率 200 MHz 200 MHz 200 MHz

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V

额定电流 -600 mA -600 mA -800 mA

额定功率 0.15 W - -

针脚数 3 3 3

极性 PNP PNP PNP, P-Channel

耗散功率 150 mW 200 mW 350 mW

增益频宽积 200 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 0.6A - -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 150 mW 200 mW 350 mW

直流电流增益(hFE) 200 100 300

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150 mW 200 mW 0.35 W

最大电流放大倍数(hFE) - 300 -

长度 2.2 mm - -

宽度 1.24 mm 1.35 mm -

高度 0.7 mm - -

封装 SC-70-3 SOT-323 SOT-23-3

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

HTS代码 - - 8541210075

香港进出口证 - - NLR

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