对比图
型号 BTW68-800 NTE5540 HIS640
描述 高浪涌能力 HIGH SURGE CAPABILITYNTE ELECTRONICS NTE5540 Thyristor, 800V, 40mA, 35A, 55A, TO-218, 3PinsSilicon Controlled Rectifier, 40A I(T)RMS, 40000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-218
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NTE Electronics
分类 晶闸管SCR晶闸管
封装 TOP TO-218 -
安装方式 - Through Hole -
引脚数 - 3 -
封装 TOP TO-218 -
高度 - 10.92 mm -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free - -
保持电流(Max) - 60 mA -
工作温度(Max) - 125 ℃ -
工作温度(Min) - -40 ℃ -
工作温度 - -40℃ ~ 125℃ -
ECCN代码 - EAR99 -
HTS代码 - 85411000800 -