对比图
型号 IXFH42N50P2 IXFT42N50P2 IXTX46N50L
描述 N沟道 500V 42ATO-268 N-CH 500V 42ATrans MOSFET N-CH 500V 46A 3Pin(3+Tab) PLUS 247
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-247-3
通道数 1 1 1
漏源极电阻 145 mΩ - 160 mΩ
耗散功率 830 W 830 W 700 W
阈值电压 - - 6 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V - 500 V
上升时间 12 ns 12 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 5300pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds) 7000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 830 W 700 W
下降时间 9 ns 9 ns 42 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 830W (Tc) 830W (Tc) 700W (Tc)
输出接口数 - 1 -
输出电压 - 500 V -
输出电流 - 42 A -
供电电流 - 42 A -
极性 N-CH N-CH -
连续漏极电流(Ids) 42A 42A -
长度 - - 16.13 mm
宽度 - - 5.21 mm
高度 - - 21.34 mm
封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free