CYDMX128A16-90BVXI和CYDMX128B16-65BVXI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CYDMX128A16-90BVXI CYDMX128B16-65BVXI CYDMX128A16-65BVXI

描述 静态随机存取存储器 MoBL ADM DPx16 128Kb IND16 K / 8 K / 4 KB ×16的MoBL ADM 16 K / 8 K / 4 KB ×16的MoBL ADM高速接入 16 K/8 K/4 K x 16 MoBL ADM 16 K/8 K/4 K x 16 MoBL ADM High speed accessCYDMX128A16 系列 128 Kb (8 K x 16) 65 ns 双端口 静态RAM FBGA-100

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 100 100 100

封装 VFBGA-100 VFBGA-100 VFBGA-100

供电电流 - 70 mA 70 mA

存取时间 90 ns 65 ns 65 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.8V ~ 3.3V 1.8V ~ 3.3V 1.8V ~ 3.3V

存取时间(Max) - - 65 ns

电源电压(Max) - - 3.3 V

电源电压(Min) - - 1.7 V

高度 0.66 mm 0.66 mm 0.66 mm

封装 VFBGA-100 VFBGA-100 VFBGA-100

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Contains Lead

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