FMD15-06KC5和IXKC15N60C5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FMD15-06KC5 IXKC15N60C5 MKE11R600DCGFC

描述 Mosfet n-Ch 600V 15A I4-Pac-5MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220MOSFET CoolMOS Power Mosfet 600V 15A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 5 - -

封装 ISOPLUS-i4-5 TO-220-3 ISOPLUS-i4-5

通道数 1 1 -

耗散功率 - 114 W -

阈值电压 3 V - -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

上升时间 5 ns 5 ns -

输入电容(Ciss) 2000pF @100V(Vds) 2000pF @100V(Vds) 2000pF @100V(Vds)

下降时间 5 ns 5 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

漏源极电阻 - 165 mΩ -

漏源击穿电压 - 600 V -

长度 19.91 mm 11 mm -

宽度 5.03 mm 5 mm -

高度 20.88 mm 16 mm -

封装 ISOPLUS-i4-5 TO-220-3 ISOPLUS-i4-5

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active End of Life Not Recommended

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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