IRFR420B和IRFR420BTF的区别_IRFR420B代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETTrans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RN CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole -

封装 DPAK TO-220-3 -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 2.1 Ω -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 - 2.5 W -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V -

漏源击穿电压 - 500 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 2.3A 2.30 A -

上升时间 - 30 ns -

下降时间 - 35 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 4.7 mm -

高度 - 16.3 mm -

封装 DPAK TO-220-3 -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -