BU2508A和BU808DFI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BU2508A BU808DFI

描述 硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power Transistor高压Fast-Switching NPN大功率达林顿管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER DARLINGTON

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 SOT-93 ISOWATT-218-3

安装方式 - Through Hole

极性 NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 700 V 700 V

集电极最大允许电流 8A 8A

额定电压(DC) - 700 V

额定电流 - 8.00 A

额定功率 - 50 W

最小电流放大倍数(hFE) - 60 @5A, 5V

额定功率(Max) - 52 W

封装 SOT-93 ISOWATT-218-3

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Tube

工作温度 - 150℃ (TJ)

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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