1N5531D和JANTX1N5531D-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5531D JANTX1N5531D-1 1N4698D

描述 DO-35 11V 400mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW0.5W(1/2W) Silicon Zener Diodes

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) Micro Commercial Components (美微科)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 2 -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

容差 - ±1 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

耗散功率 400 mW 0.5 W -

测试电流 - 1 mA -

稳压值 11 V 11 V -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Bag -

RoHS标准 - Non-Compliant -

含铅标准 - -

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