BCW65CLT1和BCW65CLT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCW65CLT1 BCW65CLT1G

描述 通用晶体管 General Purpose TransistorON SEMICONDUCTOR  BCW65CLT1G  单晶体管 双极, AEC-Q100, NPN, 32 V, 100 MHz, 225 mW, 800 mA, 100 hFE 新

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - 100 MHz

额定电压(DC) 32.0 V 32.0 V

额定电流 800 mA 800 mA

针脚数 - 3

极性 NPN NPN

耗散功率 - 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 32 V 32 V

集电极最大允许电流 0.8A 0.8A

最小电流放大倍数(hFE) 250 @100mA, 1V 250 @100mA, 1V

额定功率(Max) 225 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) - 100

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW

长度 - 3.04 mm

宽度 - 1.4 mm

高度 - 1.11 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99

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