IRLZ34N和IRLZ34NPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLZ34N IRLZ34NPBF 934055541127

描述 N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistorINFINEON  IRLZ34NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 55 V, 35 mohm, 10 V, 2 VTRANSISTOR 30 A, 55 V, 0.046 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN, FET General Purpose Power

数据手册 ---

制造商 Philips (飞利浦) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 - TO-220-3 TO-220

额定功率 - 56 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.035 Ω -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 56 W -

阈值电压 - 2 V -

输入电容 - 880 pF -

漏源极电压(Vds) - 55 V -

漏源击穿电压 - 55 V -

连续漏极电流(Ids) - 30A -

上升时间 - 100 ns -

输入电容(Ciss) - 880pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 68 W -

下降时间 - 29 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 68W (Tc) -

长度 - 10.54 mm -

宽度 - 4.4 mm -

高度 - 8.77 mm -

封装 - TO-220-3 TO-220

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

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