BZV55-C3V0,115和MMBTA42,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55-C3V0,115 MMBTA42,215 BZV55-C3V0,135

描述 NXP  BZV55-C3V0,115  单管二极管 齐纳, 3 V, 400 mW, SOD-80C, 5 %, 2 引脚, 200 °CNXP  MMBTA42,215  单晶体管 双极, NPN, 300 V, 50 MHz, 250 mW, 100 mA, 40 hFEMini-MELF 3V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管双极性晶体管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 3 -

封装 SOD-80 SOT-23-3 Mini-MELF

频率 - 50 MHz -

针脚数 2 3 -

极性 - NPN -

耗散功率 400 mW 250 mW 500 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 300 V -

集电极最大允许电流 - 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @30mA, 10V -

最大电流放大倍数(hFE) - 25 @1mA, 10V -

额定功率(Max) 500 mW 250 mW 500 mW

直流电流增益(hFE) - 40 -

工作温度(Max) 200 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 250 mW 500 mW

容差 ±5 % - ±5 %

正向电压 900mV @10mA - 900mV @10mA

测试电流 5 mA - 5 mA

稳压值 3 V - 3 V

正向电压(Max) 900mV @10mA - 900mV @10mA

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

封装 SOD-80 SOT-23-3 Mini-MELF

工作温度 -65℃ ~ 200℃ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃

温度系数 -2.1 MV/K - -2.1 mV/K

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 ECL99 - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台