对比图
型号 TSH22ID TSH22IDT NCV2904DR2G
描述 STMICROELECTRONICS TSH22ID Operational Amplifier, Dual, 25MHz, 2 Amplifier, 15V/µs, ± 1.5V to ± 15V, SOIC, 8PinsSTMICROELECTRONICS TSH22IDT 运算放大器, 双路, 25 MHz, 2个放大器, 15 V/µs, 3V 至 30V, ± 1.5V 至 ± 15V, SOIC, 8 引脚ON SEMICONDUCTOR NCV2904DR2G 运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 32V, SOIC, 8 引脚
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8
电源电压(DC) 30.0 V - -
供电电流 2.15 mA 2.15 mA 1.5 mA
电路数 2 2 2
带宽 25 MHz 25 MHz 1 MHz
转换速率 15.0 V/μs 15.0 V/μs 600 mV/μs
增益频宽积 25 MHz 25 MHz 1 MHz
输入补偿电压 2.5 mV 2.5 mV 2 mV
输入偏置电流 100 nA 100 nA 45 nA
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
增益带宽 25 MHz 25 MHz 1 MHz
电源电压(Max) 30 V - 32 V
无卤素状态 - - Halogen Free
输出电流 - 37 mA 60 mA
通道数 - 2 2
针脚数 - 8 8
共模抑制比 - 100 dB 50 dB
共模抑制比(Min) - 80 dB 50 dB
电源电压 - 3V ~ 30V 3V ~ 32V
电源电压(Min) - - 3 V
耗散功率 - 500 mW -
耗散功率(Max) - 500 mW -
封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm 4 mm
高度 - 1.65 mm 1.5 mm
工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99
香港进出口证 - - NLR