DTC143ZSATP和NTE2369

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTC143ZSATP NTE2369 RN1206

描述 百毫安/ 50V数字晶体管(带内置式电阻器) 100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors)NPN 50V 100mAMini NPN 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) NTE Electronics Toshiba (东芝)

分类 双极性晶体管分立器件晶体管

基础参数对比

封装 SC-72 TO-92 Mini

引脚数 - 3 -

安装方式 Through Hole - -

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

耗散功率 - 300 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

增益带宽 - 250 MHz -

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW -

额定电压(DC) 50.0 V - -

额定电流 100 mA - -

最小电流放大倍数(hFE) 80 @10mA, 5V - -

最大电流放大倍数(hFE) 80 - -

额定功率(Max) 300 mW - -

封装 SC-72 TO-92 Mini

高度 3 mm 3.2 mm -

长度 4 mm - -

宽度 2 mm - -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Box - -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

HTS代码 - 85412100959 -

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