BC212L和PN2369

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC212L PN2369 2N929ALEADFREE

描述 PNP通用放大器 PNP General Purpose AmplifierNPN开关晶体管 NPN Switching TransistorSmall Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18,

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 TO-92-3 TO-226-3 -

额定电压(DC) -50.0 V 15.0 V -

额定电流 -300 mA 200 mA -

耗散功率 625 mW 350 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 15 V -

最小电流放大倍数(hFE) 60 @2mA, 5V 40 @10mA, 1V -

最大电流放大倍数(hFE) 300 120 -

额定功率(Max) 625 mW 350 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

极性 Dual P-Channel - -

集电极最大允许电流 0.3A - -

长度 5.2 mm 5.2 mm -

宽度 4.19 mm 4.19 mm -

高度 5.33 mm 5.33 mm -

封装 TO-92-3 TO-226-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司