对比图
型号 JANTX1N3671AR NTE5887 JAN1N3671RA
描述 Diode Gen Purp 800V 12A Do203aaDiode 800V 12A 2Pin DO-412A silicon power rectifier, 800V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) NTE Electronics Microsemi (美高森美)
分类 功率二极管分立器件
封装 DO-203AA - -
正向电压 1.35V @38A - -
封装 DO-203AA - -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Bulk - -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Contains Lead - -
工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -
HTS代码 - 85411000800 -