对比图
型号 IXGR50N60B2D1 IXGR72N60B3H1
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXGR50N60B2D1 单晶体管, IGBT, 隔离, 68 A, 2.2 V, 200 W, 600 V, TO-247AD, 3 引脚Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 200000mW 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 ISOPLUS-247 TO-247-3
耗散功率 200 W 200000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V
反向恢复时间 35 ns 140 ns
额定功率(Max) 200 W 200 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 200000 mW
针脚数 3 -
极性 N-Channel -
上升时间 65.0 ns -
封装 ISOPLUS-247 TO-247-3
长度 16.13 mm -
宽度 5.21 mm -
高度 21.34 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99