IPP60R125C6和IPW60R125C6

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP60R125C6 IPW60R125C6 HW30

描述 Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD,

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Intertechnology

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-247-3 -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 110 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 219W (Tc) 219 W -

阈值电压 - 2.5 V -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V -

漏源击穿电压 - 600 V -

连续漏极电流(Ids) 30A 30A -

上升时间 12 ns 12 ns -

输入电容(Ciss) 2127pF @100V(Vds) 2127pF @100V(Vds) -

额定功率(Max) 219 W 219 W -

下降时间 7 nS 7 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 219W (Tc) 219W (Tc) -

长度 10.36 mm 16.13 mm -

宽度 15.95 mm 5.21 mm -

高度 4.57 mm 21.1 mm -

封装 TO-220-3 TO-247-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended Active Active

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -

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