IRFR210PBF和IRFR210BTM_FP001

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR210PBF IRFR210BTM_FP001 AOD450

描述 功率MOSFET Power MOSFETTrans MOSFET N-CH 200V 2.7A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R200V,3.8A,N沟道MOSFET

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 200 V - -

额定电流 2.60 A - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 1.5 Ω 1.50 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.1 W

阈值电压 4 V - -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V 200 V -

连续漏极电流(Ids) 2.60 A 2.70 A 3.8A

上升时间 17 ns - 3.3 ns

输入电容(Ciss) 140pF @25V(Vds) 225pF @25V(Vds) 215pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W - 2.1 W

下降时间 8.9 ns - 2.8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 25W (Tc) 2.5W (Ta), 26W (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc)

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 2000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

香港进出口证 - - NLR

ECCN代码 - EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台