对比图
型号 PHB110NQ08T PHB110NQ08T,118
描述 Power Field-Effect TransistorD2PAK N-CH 75V 75A
数据手册 --
制造商 Nexperia (安世) NXP (恩智浦)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - -
封装 - TO-263-3
耗散功率 - 230W (Tc)
输入电容 - -
漏源极电压(Vds) - 75 V
上升时间 - -
输入电容(Ciss) - 4860pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 230 W
下降时间 - -
工作温度(Max) - -
工作温度(Min) - -
耗散功率(Max) - 230W (Tc)
极性 - N-CH
连续漏极电流(Ids) - 75A
封装 - TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free