对比图
型号 CY7C1314KV18-250BZI CY7C1314KV18-250BZXI CY7C1314KV18-250BZXC
描述 18 - Mbit的QDR ？ II SRAM双字突发架构 18-Mbit QDR? II SRAM Two-Word Burst ArchitectureQDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15MM, 1.4MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-16518 - Mbit的QDR ？ II SRAM双字突发架构 18-Mbit QDR? II SRAM Two-Word Burst Architecture
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片RAM芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165 165
封装 FBGA-165 LBGA-165 FBGA-165
位数 36 36 36
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
供电电流 - - 670 mA
时钟频率 - - 250 MHz
存取时间 - - 0.45 ns
电源电压(Max) - - 1.9 V
电源电压(Min) - - 1.7 V
封装 FBGA-165 LBGA-165 FBGA-165
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a