对比图
型号 IXFV12N90P IXFV12N90PS IXFH12N90P
描述 PLUS N-CH 900V 6APLUS220 N-CH 900V 6AIXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N90P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 900 V, 900 mohm, 10 V, 3.5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
封装 TO-220-3 PLUS-220SMD TO-247-3
引脚数 - - 3
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 380W (Tc) 380W (Tc) 380 W
漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V
连续漏极电流(Ids) 6A 6A 6A
输入电容(Ciss) 3080pF @25V(Vds) 3080pF @25V(Vds) 3080pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 380W (Tc) 380W (Tc) 380W (Tc)
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.9 Ω
阈值电压 - - 3.5 V
上升时间 - - 34 ns
下降时间 - - 68 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 TO-220-3 PLUS-220SMD TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15