对比图
型号 BD139-10 BD535 BU408
描述 Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin50W Medium Power NPN Plastic Leaded Transistor. 60V Vceo, 8A Ic, 20 hFE.高压开关 High Voltage Switching
数据手册 ---
制造商 Samsung (三星) Continental Device Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管
封装 - SFM TO-220-3
安装方式 - - Through Hole
封装 - SFM TO-220-3
长度 - - 10.1 mm
宽度 - - 4.7 mm
高度 - - 9.4 mm
产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown
包装方式 - - Bulk
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - - Lead Free
额定电压(DC) - - 150 V
额定电流 - - 7.00 A
耗散功率 - - 60 W
击穿电压(集电极-发射极) - - 200 V
额定功率(Max) - - 60 W
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
工作温度 - - 150℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99