IRFR9024NTRLPBF和IRFR9024NTRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRRPBF

描述 HEXFET® P 通道功率 MOSFET,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 P 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。INTERNATIONAL RECTIFIER  IRFR9024NTRPBF  场效应管, MOSFET, P沟道DPAK P-CH 55V 11A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 38 W - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.175 Ω 0.175 Ω -

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 38 W 38 W 38W (Tc)

阈值电压 4 V 4 V -

输入电容 350 pF - -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 11A -11.0 A 11A

上升时间 55 ns 55.0 ns 55 ns

输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 38 W 38 W -

下降时间 37 ns - 37 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 38W (Tc) - 38W (Tc)

额定电压(DC) - -55.0 V -

额定电流 - -11.0 A -

产品系列 - IRFR9024N -

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.39 mm 2.39 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

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