IPP072N10N3G和IPP072N10N3GXKSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP072N10N3G IPP072N10N3GXKSA1 IRFB4310ZPBF

描述 100V,80A,N沟道功率MOSFETInfineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP072N10N3GXKSA1, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装INFINEON  IRFB4310ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 127 A, 100 V, 0.0056 ohm, 20 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 1 -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

额定功率 - 150 W 250 W

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.0062 Ω 0.0056 Ω

耗散功率 - 150 W 250 W

阈值电压 - 2.7 V 4 V

输入电容 - 3690 pF 6860 pF

漏源极电压(Vds) - 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) - 80A 127A

上升时间 - 37 ns 60 ns

输入电容(Ciss) - 3690pF @50V(Vds) 6860pF @50V(Vds)

下降时间 - 9 ns 57 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 150W (Tc) 250000 mW

漏源击穿电压 - - 100 V

额定功率(Max) - - 250 W

宽度 4.4 mm 4.4 mm 4.83 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.36 mm 10.67 mm

高度 - 4.57 mm 9.02 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - - Silicon

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