ADR435BRMZ和ADR435BRMZ-R7

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ADR435BRMZ ADR435BRMZ-R7 REF5050AIDR

描述 3.0V 至 4.5V,Analog Devices### 电压参考,Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) TI (德州仪器)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 MSOP-8 MSOP-8 SOIC-8

容差 ±0.04 % ±0.04 % ±0.1 %

输出电压 5 V 5 V 5 V

输出电流 30 mA 30 mA 10 mA

供电电流 800 µA 800 µA 1.2 mA

通道数 1 1 1

针脚数 8 - 8

输入电压(Max) 20 V 20 V 18 V

输出电压(Max) 5.002 V 5 V 5 V

输出电压(Min) 5 V 5 V 5 V

输出电流(Max) 30 mA 30 mA 10 mA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

输入电压 7V ~ 18V 7V ~ 18V 5.2V ~ 18V

输入电压(DC) - - 5.20V ~ 18.0V

静态电流 - - 800 µA

精度 - - 0.05 %

长度 3.2 mm - -

宽度 3.2 mm - -

高度 0.95 mm - -

封装 MSOP-8 MSOP-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ (TA)

温度系数 ±3 ppm/℃ ±3 ppm/℃ ±8 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2016/06/20 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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