对比图
型号 CY7C1268XV18-600BZXC CY7C1268XV18-633BZXC
描述 36兆位的DDR II的Xtreme SRAM双字突发架构（ 2.5周期读延迟） 36-Mbit DDR II Xtreme SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)36兆位的DDR II的Xtreme SRAM双字突发架构（ 2.5周期读延迟） 36-Mbit DDR II Xtreme SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)
数据手册 --
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 LBGA-165 FBGA-165
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
位数 - 18
存取时间 - 50 ns
存取时间(Max) - 0.45 ns
工作温度(Max) - 70 ℃
工作温度(Min) - 0 ℃
电源电压(Max) - 1.9 V
电源电压(Min) - 1.7 V
封装 LBGA-165 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅