STD100NH02L-1和STD150NH02L-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STD100NH02L-1 STD150NH02L-1

描述 N沟道24V - 0.0042ohm - 60A - DPAK - IPAK的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 24V - 0.0042ohm - 60A - DPAK - IPAK STripFET TM II Power MOSFETN沟道24V- 0.003Ω - 150A - ClipPAK ™ - IPAK的STripFET ™伊犁功率MOSFET N-channel 24V- 0.003Ω - 150A - ClipPAK™ - IPAK STripFET™ IlI Power MOSFET

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 IPAK TO-251-3

引脚数 - 3

极性 N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 24 V 24 V

连续漏极电流(Ids) 60A 150A

耗散功率 - 125 W

上升时间 - 224 ns

输入电容(Ciss) - 4450pF @15V(Vds)

下降时间 - 40 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 125W (Tc)

封装 IPAK TO-251-3

长度 - 6.6 mm

宽度 - 2.4 mm

高度 - 6.2 mm

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

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