2N2222和BC636BU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N2222 BC636BU

描述 0.5W(1/2W) General Purpose NPN Metal Can Transistor. 30V Vceo, 0.8A Ic, 30 hFE.Trans GP BJT PNP 45V 1A 3Pin TO-92 Bulk

数据手册 --

制造商 Continental Device Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

引脚数 - -

封装 - TO-226-3

针脚数 - -

极性 - PNP

耗散功率 - -

击穿电压(集电极-发射极) - 45 V

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @150mA, 2V

直流电流增益(hFE) - -

工作温度(Max) - -

工作温度(Min) - -

集电极最大允许电流 - 1A

额定功率(Max) - 1 W

封装 - TO-226-3

产品生命周期 Unknown Obsolete

RoHS标准 -

含铅标准 - 无铅

REACH SVHC标准 - -

REACH SVHC版本 - -

工作温度 - 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99

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