SI6473DQ-T1和SI6473DQ-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI6473DQ-T1 SI6473DQ-T1-GE3 SI6473DQ

描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSSOP-8MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOPTransistor,

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Intertechnology

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 TSSOP TSSOP-8 -

耗散功率 - 1.08W (Ta) -

漏源极电压(Vds) - 20 V -

耗散功率(Max) - 1.08W (Ta) -

封装 TSSOP TSSOP-8 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

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