1N5524B和JANTX1N5524B

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5524B JANTX1N5524B JANTXV1N5524B-1

描述 DO-35 5.6V 400mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW低电压表面贴装500 mW的雪崩二极管 Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 DO-35 DO-35 DO-35

引脚数 - - 2

耗散功率 400 mW 500 mW 0.5 W

稳压值 5.6 V 5.6 V 5.6 V

容差 - - ±5 %

正向电压 - - 1.1V @200mA

测试电流 - - 3 mA

额定功率(Max) - - 500 mW

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - - Bag

工作温度 - - -65℃ ~ 175℃

RoHS标准 - - Non-Compliant

含铅标准 - -

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