LMV842MA/NOPB和TS922IDT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMV842MA/NOPB TS922IDT TS922ID

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LMV842MA/NOPB  运算放大器, 双路, 4.5 MHz, 2个放大器, 2.5 V/µs, 2.7V 至 12V, SOIC, 8 引脚STMICROELECTRONICS  TS922IDT  运算放大器, 双路, 4 MHz, 2个放大器, 1.3 V/µs, 2.7V 至 12V, SOIC, 8 引脚STMICROELECTRONICS  TS922ID  运算放大器, 双路, 4 MHz, 2个放大器, 1.3 V/µs, 2.7V 至 12V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

输出电流 - 80 mA 80 mA

供电电流 1.03 mA 2 mA 2 mA

电路数 2 2 2

针脚数 8 8 8

共模抑制比 81 dB 80 dB 60 dB

带宽 4.5 MHz 4 MHz 4 MHz

转换速率 2.50 V/μs 1.30 V/μs 1.30 V/μs

增益频宽积 4.5 MHz 4 MHz 4 MHz

输入补偿电压 50 µV 3 mV 3 mV

输入偏置电流 0.3 pA 15 nA 15 nA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 4.5 MHz 4 MHz 4 MHz

共模抑制比(Min) 81 dB 60 dB 60 dB

电源电压 2.7V ~ 12V 2.7V ~ 12V 2.7V ~ 12V

电源电压(DC) - - 3.00 V

通道数 2 - 2

输入补偿漂移 350 nV/K - -

电源电压(Max) 12V ~ 12.5V - -

长度 5 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 4 mm 3.9 mm 3.9 mm

高度 1.5 mm 1.65 mm 1.25 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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