对比图
型号 IXFK32N80P IXFX32N80P IXFX32N80Q3
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFK32N80P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 32 A, 800 V, 270 mohm, 10 V, 5 VTrans MOSFET N-CH 800V 32A 3Pin(3+Tab) PLUS 247N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 中高压MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-264-3 TO-247-3 TO-247-3
耗散功率 830 W 830W (Tc) 1 kW
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
上升时间 24 ns 24 ns 300 ns
输入电容(Ciss) 8800pF @25V(Vds) 8800pF @25V(Vds) 6940pF @25V(Vds)
下降时间 24 ns 24 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 830W (Tc) 830W (Tc) 1000W (Tc)
通道数 1 - 1
漏源极电阻 0.27 Ω - 270 mΩ
极性 N-Channel - N-CH
漏源击穿电压 800 V - 800 V
连续漏极电流(Ids) 32.0 A - 32A
额定功率(Max) - - 1000 W
针脚数 3 - -
阈值电压 5 V - -
封装 TO-264-3 TO-247-3 TO-247-3
长度 19.96 mm - 16.13 mm
宽度 5.13 mm - 5.21 mm
高度 26.16 mm - 21.34 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -