BSL316CL6327和SI3588DV

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSL316CL6327 SI3588DV SI3552DV-T1-GE3

描述 30V/1.4A,-30V/-1.5A,N/P沟道组合功率MOSFETTransistorTrans MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/1.8A 6Pin TSOP T/R

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 6 - 6

封装 TSOP TSOP TSOT-23-6

极性 N-Channel, P-Channel - N-Channel, P-Channel

漏源极电压(Vds) 30 V - 30 V

连续漏极电流(Ids) 1.4A/1.5A - -

额定功率(Max) - - 1.15 W

封装 TSOP TSOP TSOT-23-6

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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