IR2132J和IR2132JPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR2132J IR2132JPBF IR2132JTRPBF

描述 MOSFET DRVR 600V 0.5A 6Out Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 32Pin PLCC半桥 IGBT MOSFET 灌:250mA 拉:500mA门驱动器 3 PHASE DRVR INVERTING INPUT

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 PLCC-44 PLCC-44 PLCC-44

引脚数 - 32 32

封装 PLCC-44 PLCC-44 PLCC-44

长度 - - 16.66 mm

宽度 - - 16.66 mm

高度 - - 3.69 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

电源电压(DC) - 10.0V (min) -

上升/下降时间 - 80ns, 35ns 80ns, 35ns

输出接口数 - 6 6

输出电压 - 10.20 V -

输出电流 - 200 mA 500 mA

通道数 - 2 -

耗散功率 - 2 W 2 W

上升时间 - 125 ns 125 ns

下降时间 - 55 ns 55 ns

下降时间(Max) - 55 ns 55 ns

上升时间(Max) - 125 ns 125 ns

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW 2000 mW

电源电压 - 10V ~ 20V 10V ~ 20V

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 -

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