MUR8100EG和STTH810D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUR8100EG STTH810D MUR8100E

描述 ON SEMICONDUCTOR  MUR8100EG  快速/超快功率二极管, 单, 1 kV, 8 A, 1.8 V, 75 ns, 100 ASTMICROELECTRONICS  STTH810D  快速/超快功率二极管, 单, 1 kV, 8 A, 1.3 V, 47 ns, 60 A超高速整流器8.0 A, 800 V - 1000 V ULTRAFAST RECTIFIERS 8.0 A, 800 V - 1000 V

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 TVS二极管TVS二极管功率二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

引脚数 2 2 -

额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV 1.00 kV

额定电流 8.00 A 8.00 A 8.00 A

输出电流 ≤8.00 A ≤8.00 A ≤8.00 A

正向电压 1.8 V 2V @8A 1.8V @8A

极性 Standard Standard Standard

反向恢复时间 100 ns 85 ns 100 ns

最大反向电压(Vrrm) - - 1000V

正向电流 8 A 8 A 8 A

最大反向漏电流(Ir) - - 0.5mA

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -40 ℃ -65 ℃

电容 - 7.00 pF -

热阻 2℃/W (RθJC) 2.5 ℃/W -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 100 A 60 A -

正向电压(Max) 1.8 V 1.3 V -

正向电流(Max) 8 A 8 A -

工作结温 - 175℃ (Max) -

工作结温(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

长度 10.29 mm 10.4 mm 10.29 mm

宽度 4.82 mm 4.6 mm 4.82 mm

高度 9.27 mm 9.35 mm 9.27 mm

封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Each Tube Tube

最小包装 - - 50

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -

ECCN代码 EAR99 - -

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