对比图
型号 PDTC143EEF PDTC143EE,115 NTE2367
描述 NPN电阻配备晶体管; R1 = 4.7千欧， R2 = 4.7 kΩ的 NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 4.7 kΩNXP PDTC143EE,115 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, 1 电阻比率, SOT-416TO-92 NPN 50V 200mA
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NTE Electronics
分类 双极性晶体管分立器件
安装方式 - Surface Mount Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 SC-89 SOT-416-3 TO-92
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 - 0.15 W 300 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 200mA
最小电流放大倍数(hFE) - 30 @10mA, 5V -
额定功率(Max) - 150 mW -
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 150 mW 300 mW
增益带宽 - - 250 MHz
高度 - 0.85 mm 3.2 mm
封装 SC-89 SOT-416-3 TO-92
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99
HTS代码 - - 85412100959