对比图
型号 FDP100N10 SUP85N10-10-E3 IRFB4710PBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP100N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 0.0082 ohm, 10 V, 2.5 VN沟道 100V 85AINFINEON IRFB4710PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 14 mohm, 10 V, 5.5 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.0082 Ω 10.5 mΩ 0.014 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 208 W 250 W 200 W
阈值电压 2.5 V - 5.5 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 75A 85A 75A
上升时间 265 ns 90 ns 130 ns
输入电容(Ciss) 7300pF @25V(Vds) 6550pF @25V(Vds) 6160pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 208 W 3.75 W 3.8 W
下降时间 115 ns 130 ns 38 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 208W (Tc) 250000 mW 3.8W (Ta), 200W (Tc)
额定功率 - - 200 W
输入电容 - - 6160 pF
长度 10.67 mm - 10.54 mm
宽度 4.83 mm - -
高度 9.4 mm - 8.77 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
最小包装 - 50 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17