对比图
型号 STW21NM60N STW22NM60N STW24N60M2
描述 N沟道600 V - 0.17 Ω - 17 A TO - 220 - TO- 220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.17 Ω - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh? Power MOSFETN 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。 其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
漏源极电阻 190 mΩ 0.2 Ω 0.168 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 140 W 125 W 150 W
阈值电压 - 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 17.0 A 16A 18A
输入电容(Ciss) 1900pF @50V(Vds) 1330pF @50V(Vds) 1060pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 140 W 125 W 150 W
下降时间 31 ns 38 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 140W (Tc) 125W (Tc) 150W (Tc)
针脚数 - - 3
上升时间 15 ns - 9 ns
额定电压(DC) 600 V - -
额定电流 17.0 A - -
通道数 1 - -
输入电容 1.95 nF - -
栅电荷 66.6 nC - -
漏源击穿电压 600 V - -
栅源击穿电压 ±25.0 V - -
长度 15.75 mm 15.75 mm 15.75 mm
宽度 5.15 mm 5.15 mm 5.15 mm
高度 20.15 mm 20.15 mm 20.15 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 EAR99