MUN2130T1和SMUN2130T1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN2130T1 SMUN2130T1 MUN2130T1G

描述 偏置电阻晶体管 Bias Resistor TransistorSC-59 PNP 50V 100mA偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 SOT-23-3 SC-59 SOT-23-3

额定电压(DC) -50.0 V - -50.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

无卤素状态 - - Halogen Free

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 338 mW - 230 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 3 @5mA, 10V - 3 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - - 3

额定功率(Max) 230 mW - 230 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 338 mW - 338 mW

长度 - - 2.9 mm

宽度 - - 1.5 mm

高度 1.09 mm - 1.09 mm

封装 SOT-23-3 SC-59 SOT-23-3

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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