RH823-1和RH823A-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RH823-1 RH823A-1 1N823A

描述 DO-7 6.2V 0.5W(1/2W)DO-7 6.2V 0.5W(1/2W)Zener Diode Temperature Compensated 5.9-6.5V 0.5W(1/2W) Do-7 Case 0.005 Tc

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) NTE Electronics

分类 分立器件

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 2 -

封装 DO-7 DO-7 -

耗散功率 500 mW 500 mW -

测试电流 7.5 mA 7.5 mA -

稳压值 6.2 V 6.2 V -

封装 DO-7 DO-7 -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

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